[发明专利]氧化镁薄膜的制作方法及处理板

摘要

一种方法，其利用激光烧蚀法通过将氧化镁的烧结体或单晶作为靶使用而将氧化镁薄膜堆积到基板上。在该方法中，通过使用包含以（111）面为主面的钛酸锶或以（111）面为主面的氧化钇稳定化氧化锆的基板，在所述基板的所述主面上直接堆积膜、使其外延生长，由此制成包含以（111）面为表面的氧化镁的平坦的处理膜。

主权项

一种氧化镁薄膜的制作方法，其中利用使用激光的激光烧蚀法通过将氧化镁的烧结体或单晶作为靶使用而将氧化镁薄膜堆积到基板上，其中，通过使用包含以(111)面为主面的钛酸锶或以(111)面为主面的氧化钇稳定化氧化锆的基板，在所述基板的所述主面上直接堆积膜、使其外延生长，由此制成包含以(111)面为表面的氧化镁的平坦的处理膜，所述处理膜的成膜时的基板温度为600℃～650℃，所述处理膜的成膜时的氧分压为0.5×10^‑3Pa～2.0×10^‑3Pa，所述激光烧蚀法的激光能量为50mJ以上，所述处理膜的膜厚为5～20nm，所述处理膜的氧化镁(111)面的均方根粗糙度R_q不超过0.5nm，所述均方根粗糙度R_q是利用原子力显微镜在大气下观察2μm见方而算出的。