[发明专利]ESD保护器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280044289.6 | 申请日： | 2012-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103797669A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 鹫见高弘;足立淳;筑泽孝之 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01T1/20 | 分类号： | H01T1/20;H01T4/10;H01T4/12;H01T21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘可靠性较高、并具有良好的放电特性的ESD保护器件。ESD保护器件包括：第1及第2放电电极，该第1及第2放电电极配置成彼此相对；放电辅助电极，该放电辅助电极以横跨第1和第2放电电极之间的方式形成；以及绝缘体基材，该绝缘体基材保持第1及第2放电电极、以及放电辅助电极，在所述ESD保护器件中，放电辅助电极由多个金属粒子（24）的集合体所构成，多个金属粒子（24）被由碳化硅构成的半导体膜（23）所覆盖。为了获得这样的放电辅助电极，对在金属粒子表面固接有由碳化硅构成的半导体粉末的半导体复合化金属粉末进行烧成，但该半导体复合化金属粉末中的半导体粉末的覆盖量Q[重量％]与金属粉末的比表面积S[m2/g]的关系选择为Q/S≥8。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种ESD保护器件，其特征在于，包括：第1及第2放电电极，该第1及第2放电电极配置成彼此相对；放电辅助电极，该放电辅助电极以横跨所述第1及第2放电电极之间的方式形成；以及绝缘体基材，该绝缘体基材保持所述第1及第2放电电极、以及所述放电辅助电极，所述放电辅助电极由多个金属粒子的集合体所构成，该多个金属粒子被由碳化硅构成的半导体膜所覆盖。
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