[发明专利]半导体发光单元连接体有效

专利信息
申请号: 201280044379.5 申请日: 2012-07-17
公开(公告)号: CN103828078B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 安相贞 申请(专利权)人: 安相贞
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/36
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及一种半导体发光单元连接体,该半导体发光单元连接体包括第一发光单元,该第一发光单元的下部中形成有电流供应层;第二发光单元,该第二发光单元的下部中形成有电流供应层,该电流供应层与所述第二发光单元相连接;连接板,该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分;以及电气通道,该电气通道用于电连接所述第一发光单元和所述第二发光单元。
搜索关键词: 半导体 发光 单元 连接
【主权项】:
一种半导体发光单元连接体,该半导体发光单元连接体包括:第一发光单元,该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层,与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层,利用生长基板生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层,以及用于在去除所述生长基板期间保护所述第一发光单元的支承基板;第二发光单元,该第二发光单元被制备为通过单独芯片工艺而独立于所述第一发光单元的单个芯片并且包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层,利用生长基板生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层,以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电极;连接板,所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板,该连接板具有放置所述第一发光单元的所述支承基板的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分;以及电气通道,该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接,其中,被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。
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