[发明专利]用于监测和控制硅棒温度的方法和系统有效
| 申请号： | 201280044407.3 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103814149A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | E·里贡 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C01B33/035;C23C16/24;C23C16/52;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;马江立 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明公开了用于监测和控制硅棒温度的系统和方法。一个示例是在化学气相沉积（CVD）过程期间监测CVD反应器中的至少一个硅棒的表面温度的方法。该方法包括捕获CVD反应器的内部的图像。该图像包括硅棒。扫描该图像以识别硅棒的左边缘和硅棒的右边缘。识别在左边缘和右边缘中间的目标区域。确定目标区域中的硅棒的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监测 控制 温度 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种在化学气相沉积（CVD）过程期间监测CVD反应器中的至少一个硅棒的表面温度的方法，所述方法包括：捕获CVD反应器的内部的图像，所述图像包括硅棒；扫描所述图像以识别所述硅棒的左边缘和所述硅棒的右边缘；识别在所述左边缘和所述右边缘中间的目标区域；以及确定所述目标区域中的所述硅棒的温度。
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