[发明专利]高纯度铜锰合金溅射靶无效
| 申请号： | 201280044705.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103797152A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;大月富男;冈部岳夫;牧野修仁;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/05;H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C为2重量ppm以下，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，溅射该靶而在晶片上成膜时，C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素的化合物的直径0.20μm以上的粉粒的数量为平均30个以下。这样，通过向铜中添加适当量的Mn元素并且限制碳的量，能够有效地抑制溅射时产生粉粒。特别是提供可用于形成具有自扩散抑制功能的半导体用铜合金布线的高纯度铜锰合金溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C为2重量ppm以下，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，溅射该靶而在晶片上成膜时，C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素的化合物的直径0.08μm以上的粉粒的数量为平均50个以下。
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