[发明专利]改进的液相烷基化方法

摘要

本发明提供生产单烷基化芳烃化合物的方法，该方法包括下述步骤：在催化剂组合物存在下，在有效的烷基化条件下，使可烷基化的芳烃化合物与烷基化剂接触，所述催化剂组合物包括通过接种合成方法生产的MCM-56晶体，和粘合剂，使得在该催化剂组合物内晶体/粘合剂的重量比高于20/80至约80/20。

主权项

用烷基化剂选择性烷基化苯以形成单烷基化苯的方法，该方法包括：(i)通过包括下述步骤的方法生产合成的多孔结晶MCM‑56材料：a)制备含碱金属或碱土金属(M)阳离子的源，三价元素X的氧化物，四价元素Y的氧化物，沸石种子晶体和水的第一反应混合物，所述第一反应混合物就氧化物的摩尔比来说，具有下述范围的组成：YO₂/X₂O₃=5‑35；H₂O/YO₂=10‑70；OH^‑/YO₂=0.05‑0.20；M/YO₂=0.05‑3.0；所述第一反应混合物进一步包括用量大于或等于0.05wt.%至小于或等于5wt.%的沸石种子晶体，基于所述第一反应混合物的重量；b)添加导向剂R到步骤a)的反应混合物中以形成第二反应混合物，所述第二反应混合物就摩尔比来说，具有在下述范围内的所述导向剂R：R/YO₂=0.08‑0.3；c)在约90℃‑约175℃的温度和小于90小时的时间条件下，使步骤b)的所述第二反应混合物结晶，形成含接种MCM‑56材料的晶体和小于10wt.%非MCM‑56杂质晶体的混合物，基于所述产物混合物内所述MCM‑56晶体的总重量，这通过X‑射线衍射鉴定；和d)从步骤c)的所述产物混合物中分离并回收至少一部分所述接种MCM‑56材料的所述晶体，其中所述接种MCM‑56材料的所述晶体具有下表1所示的X‑射线衍射图案：表1晶面间d‑间距(埃)相对强度12.4±0.2vs9.9±0.3m6.9±0.1w6.4±0.3w6.2±0.1w3.57±0.07m‑s3.44±0.07vs(ii)以晶体/粘合剂的重量比为高于20/80至约80/20结合所述接种MCM‑56晶体与粘合剂，形成催化剂组合物；和(iii)在有效的烷基化条件下，使含所述苯和所述烷基化剂的原料与所述催化剂组合物接触，形成含所述单烷基化苯的产物，所述烷基化条件包括约0℃‑约500℃的温度，约0.2‑约25000kPa‑a的压力，约0.1:1‑约50:1的所述苯与所述烷基化剂的摩尔比，和基于所述烷基化剂，约0.1‑约500hr^‑1的原料重时空速度(WHSV)。