[发明专利]具有选择性形成的金属罩的集成电路结构有效
| 申请号： | 201280044778.1 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103828026A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;D·V·霍拉克;查尔斯·W·库布尔格三世;P·邵姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 形成 金属 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：提供包括晶体管（6）的前体结构，所述晶体管具有金属栅极（8）以及与所述金属栅极相邻的间隔物（14）；在所述金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层（18）；至少部分氧化（20）所述止蚀层；以及在所述至少部分氧化的止蚀层之上形成介电层（22）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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