[发明专利]反铁磁性存储设备有效
| 申请号： | 201280044787.0 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103827969B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | D·M·艾格勒;A·J·海因里希;S·洛特;C·P·卢茨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11C11/15;H01F10/14;H01F10/28;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 张亚非,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例的反铁磁纳米结构包括至少两个反铁磁耦合的原子的阵列，其具有至少两种磁性状态，所述磁性状态即使没有与外部结构的交互也能稳定至少一皮秒，阵列具有为零或大约为零的净磁矩，其中阵列具有沿着其最长维度的100个或更少的原子。根据实施例的原子级结构具有为零或大约为零的净磁矩；两个或更多个稳定的磁性状态；并具有一个原子阵列，其具有在沿着一个或多个方向的相邻原子间交替的磁矩。这样的结构可被用来以超高密度存储数据。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁性 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种反铁磁纳米结构，包括：至少两个反铁磁耦合的磁性原子的阵列，其具有至少两种磁性状态，所述磁性状态即使在没有与外部结构的交互时稳定至少一皮秒，所述阵列具有为零或大约为零的净磁矩，其中所述阵列具有沿着其最长维度的100个原子或更少，其中至少两个反铁磁耦合的磁性原子的多个阵列出现在相同的基板上，每个阵列具有至少两种磁性状态，其中每个阵列具有大约为零的净磁矩。
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