[发明专利]用于具有单金属层基底的半导体封装中的高速信号完整性的结构

摘要

在基底（103）上的具有键合焊盘（110）的半导体芯片（101），该基底具有多行多列规则间距的金属接触焊盘（131）。一个区包括第一对（131a，131b）和平行的第二对（131c，131d）金属焊盘，以及用于地电位的单个接触焊盘（131e）；通过平行且等长的迹线（131a，132b等）连接到相应的各对相邻接触焊盘的交错的多对缝合焊盘（133）。平行且等长的键合引线（120a，120b等）将键合焊盘对连接到缝合焊盘对，从而形成多对平行且等长的差分导线。处于平行且对称位置的两个差分对形成用于传导高频信号的发射器/接收器单元。

主权项

一种半导体器件，其包括：在芯片边缘附近具有键合焊盘的半导体芯片，所述芯片被组装在基底上；具有面向所述芯片的金属层的所述基底，该层被图形化在包括尺寸被设计为接触焊盘的多行多列规则间距的焊盘的阵列中；在所述阵列内的区，该区包括第一对接触焊盘和平行的第二对接触焊盘，并且在所述第一对和所述第二对之间的空间中包括用于地电位的单个接触焊盘和尺寸被设计为缝合焊盘的交错的多对焊盘，每个缝合焊盘对通过平行且等长的迹线连接到相应的相邻接触焊盘对；键合引线，其跨越平行且等长的拱形，用于将一对键合焊盘连接到相应的一对缝合焊盘，由此形成从键合焊盘到接触焊盘的一对平行且等长的差分导线；以及处于平行且对称位置的两对差分导线，这两个差分对形成发射器/接收器单元。