[发明专利]制造复合晶片的方法有效

专利信息
申请号: 201280045025.2 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN103828021A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 秋山昌次;永田和寿 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种制造复合晶片的方法,其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片,并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤:将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片,所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和,并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层;在200℃至400℃加热所述键合晶片;以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜,以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。
搜索关键词: 制造 复合 晶片 方法
【主权项】:
一种制造复合晶片的方法,至少包括以下步骤:将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片,所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和,并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层;在200℃至400℃对所述键合晶片加热;以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜,以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。
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