[发明专利]计算贴合SOI晶片的翘曲的方法及贴合SOI晶片的制造方法

摘要

本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。

主权项

一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在由单晶硅晶片构成的键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，之后使外延层在上述SOI层的表面生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。