[发明专利]被涂覆的电容传感器无效
| 申请号： | 201280045191.2 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103813974A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | A·费伊;J·克拉森 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种形成MEMS装置的方法包括：提供基体；在基体层之上形成牺牲层；在牺牲层上形成硅基工作部分；从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 被涂覆 电容 传感器 | ||
【主权项】：
一种形成MEMS装置的方法，包括：提供基体；在基体层之上形成牺牲层；在牺牲层上形成硅基工作部分；从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。
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