[发明专利]与纳米结构区域的电接触无效
| 申请号： | 201280045443.1 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104145323A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 马西·R·布莱克;乔安妮·福齐亚蒂;迈克尔·朱拉;杰夫·米勒;布赖恩·默菲;亚当·斯坦德利 | 申请（专利权）人： | 班德加普工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周李军;万雪松 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种接触纳米结构表面的方法。在此方法中，提供在表面上具有纳米结构材料的基片，基片为导电性，并且纳米结构材料用绝缘材料涂覆。至少部分去除纳米结构材料的一部分。以使得导体通过已至少部分去除纳米结构材料的区域与基片电接触的方式，在基片上沉积导体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 区域 接触 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：(a)提供在表面上具有纳米结构材料的基片；(b)从所述表面的选择部分去除所述纳米结构材料；和(c)在从中去除了所述纳米结构材料的表面部分内沉积电触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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