[发明专利]硅化物间隙薄膜晶体管

摘要

本发明提供用于制造薄膜晶体管装置的系统、方法及设备。在一个方面中，提供衬底，所述衬底包含在衬底表面上的硅层。在所述硅层上形成金属层。在所述金属层及所述衬底表面的暴露区域上形成第一电介质层。处理所述金属层及所述硅层，且所述金属层与所述硅层反应以形成硅化物层及介于所述硅化物层与所述电介质层之间的间隙。在所述第一电介质层上形成一非晶硅层。加热及冷却所述非晶硅层。上覆于所述衬底表面的所述非晶硅层以快于上覆于所述间隙的所述非晶硅层的速率冷却。

主权项

一种方法，其包括：提供具有表面的衬底，所述衬底包含在所述衬底表面的区域上的第一硅层，所述第一硅层使所述衬底表面的区域保持暴露；在所述第一硅层上形成第一金属层；在所述第一金属层及所述衬底表面的所述暴露区域上形成第一电介质层；处理所述第一金属层及所述第一硅层，其中所述第一金属层与所述第一硅层反应以形成第一硅化物层及介于所述第一硅化物层与所述第一电介质层之间的第一间隙；在所述第一电介质层上形成非晶硅层，所述非晶硅层包含上覆于所述衬底表面的所述暴露区域的第一硅区域及第二硅区域以及上覆于所述第一间隙的第三硅区域，所述第三硅区域介于所述第一硅区域与所述第二硅区域之间；加热所述非晶硅层；及冷却所述非晶硅层，其中所述第一硅区域及所述第二硅区域以快于所述第三硅区域的速率冷却。