[发明专利]电子部件用金属材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201280045596.6 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103814158B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 涩谷义孝;深町一彦;儿玉笃志 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;B32B15/01;B32B15/04;C22C5/02;C22C5/04;C22C5/06;C22C5/08;C22C5/10;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/06;C22C13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 童春媛,孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有低插拔性、低晶须性和高耐久性的电子部件用金属材料及其制备方法。一种电子部件用金属材料10，所述金属材料具备基材11、A层14和B层13，所述A层14构成基材11的最表层，由Sn、In或它们的合金形成，所述B层13设置于基材11与A层14之间，构成中间层，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成，最表层(A层) 14的厚度为0.002~0.2μm，中间层(B层) 13的厚度为0.001~0.3μm。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 金属材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无晶须和高耐久性的电子部件用金属材料，其具备：基材，构成所述基材的最表层，由Sn、In或它们的合金形成的A层，和设置于所述基材与A层之间，构成中间层，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成的B层，所述最表层(A层)的厚度为0.01~0.1μm，所述最表层(A层)的Sn、In的附着量为7~75μg/cm2，所述中间层(B层)的厚度为0.005~0.1μm，所述中间层(B层)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附着量为4~120μg/cm2，其中，当通过XPS (X射线光电子光谱法)进行Depth分析时，所述最表层(A层)的Sn或In的原子浓度(at%)示出最高值的位置(D1)，所述中间层(B层)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度(at%)示出最高值的位置(D2)自最表面起按D1、D2的顺序存在；当通过XPS (X射线光电子光谱法)的Survey测定进行所述最表层(A层)表面的元素分析时，Sn、In为2at%以上，并且Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir低于7at%。
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