[发明专利]用于硅晶片的湿法酸化学蚀刻的制剂在审
| 申请号： | 201280045637.1 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104094383A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 艾瑞克·斯特恩;布兰得利·M·韦斯特;詹森·克里肖内 | 申请（专利权）人： | 1366科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨生平 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于蚀刻多晶硅衬底的酸蚀刻组合物，所述酸蚀刻组合物可以包含氢氟酸、氧化剂、酸稀释剂以及可溶性硅。所述可溶性硅可以是六氟硅酸或氟硅酸铵。用有机抗蚀剂图案化的硅衬底可以与酸蚀刻组合物一起用于选择性的硅图案化以用于太阳能电池应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 湿法 酸化 蚀刻 制剂 | ||
【主权项】：
一种对硅进行图案化的方法，其包括：a.将在至少一个表面上用有机抗蚀剂图案化的硅衬底暴露在制得的蚀刻组合物中，所述蚀刻组合物包含氢氟酸、能够氧化硅的至少一种氧化剂以及可溶性硅，b.其中所述蚀刻组合物蚀刻所述硅衬底的暴露的硅表面而不除去所述有机抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
