[发明专利]用于减小垂直裂纹传播的结构与方法有效
申请号: | 201280045981.0 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN103843121B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | E·C·库尼;杰弗里·P·甘比诺;何忠祥;刘小虎;托马斯·L·麦克德维特;G·L·米洛;威廉·J·墨菲 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/4763 | 分类号: | H01L21/4763 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构,以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。 | ||
搜索关键词: | 用于 减小 垂直 裂纹 传播 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体设备,包括:绝缘体;以及所述绝缘体上的多个垂直堆叠层,所述垂直堆叠层中的每一层都包括:电介质绝缘体部分;所述电介质绝缘体部分中的至少一个第一导体;覆盖所述第一导体的至少一个第一氮化物罩;所述电介质绝缘体部分中的至少一个第二导体;以及覆盖所述第二导体的第二氮化物罩,所述垂直堆叠层中的所述第一导体形成第一垂直堆叠导体层,所述垂直堆叠层中的所述第二导体形成第二垂直堆叠导体层,所述第一垂直堆叠导体层接近所述第二垂直堆叠导体层,所述垂直堆叠层还包括位于所述半导体设备的所述第一垂直堆叠导体层和所述第二垂直堆叠导体层之间的空气间隙,以及位于所述电介质绝缘体部分中的所述第一导体和所述第二导体之间的至少一个金属填充物,所述金属填充物和所述空气间隙之间的所述垂直堆叠层的一部分包括电介质绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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