[发明专利]用于自旋转移扭矩切换设备的耐热垂直磁各向异性耦合元件在审
| 申请号： | 201280046132.7 | 申请日： | 2012-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103907156A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | W-C·陈;K·李;X·朱;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 垂直磁各向异性（PMA）型磁性随机存取存储器单元被构造成具有复合PMA层以提供带有可接受热障的磁性隧道结（MTJ，102）。PMA耦合层（110）被沉积在第一PMA层（108）和第二PMA层（112）之间以形成该复合PMA层。该复合PMA层可被纳入在PMA型MRAM单元或面内型MRAM单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转移 扭矩 切换 设备 耐热 垂直 各向异性 耦合 元件 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结（MTJ），包括：参考层；复合垂直磁各向异性（PMA）层，其包括第一PMA层、第二PMA层、以及所述第一PMA层和所述第二PMA层之间的PMA耦合层；以及隧道阻挡层，其在所述参考层和所述复合PMA层之间。
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