[发明专利]具有用于半导体处理的平面热区的热板有效
申请号: | 201280046142.0 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN104471682B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 基思·威廉·加夫;基思·科门丹特;安东尼·里奇 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H05B3/68;H01C17/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板,其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 半导体 处理 平面 | ||
【主权项】:
一种热板,其构造为覆于用于在半导体处理装置中支撑半导体衬底的衬底支撑组件的温控基板上,所述热板包括:电绝缘板;平面热区,其包括至少第一、第二、第三和第四平面热区,每个平面热区都包括作为热电元件的一个或多个珀耳帖器件,所述平面热区在整个所述电绝缘板横向地分布并且能操作以调整所述衬底上的空间温度分布;正电压线路,其包括在整个所述电绝缘板横向分布的第一和第二导电正电压线路;负电压电路,其包括在整个所述电绝缘板横向分布的第一和第二导电负电压线路;共用线路,其包括在整个所述电绝缘板横向分布的第一和第二导电共用线路;在整个所述电绝缘板横向分布的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八二极管;其中:所述第一二极管的阳极与所述第一正电压线路连接并且所述第一二极管的阴极与所述第一平面热区连接;所述第二二极管的阳极与所述第一平面热区连接并且所述第二二极管的阴极与所述第一负电压线路连接;所述第三二极管的阳极与所述第一正电压线路连接并且所述第三二极管的阴极与所述第二平面热区连接;所述第四二极管的阳极与所述第二平面热区连接并且所述第四二极管的阴极与所述第一负电压线路连接;所述第五二极管的阳极与所述第二正电压线路连接并且所述第五二极管的阴极与所述第三平面热区连接;所述第六二极管的阳极与所述第三平面热区连接并且所述第六二极管的阴极与所述第二负电压线路连接;所述第七二极管的阳极与所述第二正电压线路连接并且所述第七二极管的阴极与所述第四平面热区连接;所述第八二极管的阳极与所述第四平面热区连接并且所述第八二极管的阴极与所述第二负电压线路连接;所述第一共用线路与所述第一和第三平面热区两者连接;并且所述第二共用线路与所述第二和第四平面热区两者连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280046142.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:散热装置以及半导体装置
- 下一篇:电气开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造