[发明专利]在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质

摘要

本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，相对于室温的饱和磁通密度，其在高温具有高饱和磁通密度。该合金包含按原子％计的：一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素；Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上，或／和C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn和W中的一种或两种以上；以及余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质；并且满足以下表达式的全部：(1)0.5≤TLA≤15；(2)5≤TLA+TAM；和(3)TLA+TAM+TNM≤30(其中TLA是所述一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素的加入量的总百分数；TAM等于Y+Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+B／2的加入量的总百分数，其中，仅对于B，使用其1／2的值；并且TNM等于C+Al+Si+P+Cr+Mn+Ni+Cu+Zn+Ga+Ge+Mo+Sn+W的加入量的总百分数)。

主权项

一种在垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层中使用的合金，其中所述合金包含：一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素；Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上，或/和C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn和W中的一种或两种以上；和余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质；并且所述合金所包含的元素的含量按原子％计满足表达式(1)至(3)：(1)0.5≤TLA≤15；(2)5≤TLA+TAM；和(3)TLA+TAM+TNM≤30其中，表达式(1)至(3)中，TLA是所述一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素的加入量的合计值；TAM为Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和1/2倍的B的加入量的合计值；并且TNM为C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn和W的加入量的合计值。