[发明专利]用于释放多个半导体器件层的外延剥离在审
申请号: | 201280046776.6 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN104025282A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 郑政玮;李宁;徐崑庭 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种从下面的基底衬底去除多个半导体器件层的方法。在基底衬底上形成多层叠层,该多层叠层包括牺牲材料层和半导体材料层的交替层。所形成的每个连续的牺牲材料层比先前形成的牺牲材料层更厚。由于牺牲材料层的厚度差,每个牺牲材料层以不同的速率蚀刻,较厚的牺牲材料层比较薄的牺牲材料层蚀刻得更快。然后进行蚀刻,该蚀刻首先去除所述多层叠层中的最厚的牺牲材料层。因此该多层叠层中的最上部半导体器件层首先被释放。随着蚀刻继续,其它牺牲材料层以厚度减小的顺序被依次去除,并且其它半导体器件层被依次去除。 | ||
搜索关键词: | 用于 释放 半导体器件 外延 剥离 | ||
【主权项】:
一种从基底衬底顶上释放多个半导体器件层的方法,所述方法包括:在所述基底衬底上形成多层叠层,所述多层叠层自下而上包括:具有第一厚度的第一牺牲材料层、第一半导体器件层、具有第二厚度的第二牺牲材料层、以及第二半导体器件层,其中所述第一厚度小于所述第二厚度;以及通过蚀刻选择性地去除所述第一和第二牺牲材料层,其中以比所述第一牺牲材料层更快的速率蚀刻所述第二牺牲材料层,由此顺序地在释放所述第二半导体器件层之后释放所述第一半导体器件层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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