[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280046954.5 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103827348A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为70%以下、并且（222）面的取向率为10%以上。通过控制靶的晶体取向，可以加快溅射速率，由此，能够在短时间内形成需要的膜厚，可以提高生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为70%以下、并且（222）面的取向率为10%以上。
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