[发明专利]GaAsP纳米结构的Ga辅助的生长、不含金的GaAsP纳米结构及包含该纳米结构的光伏电池在审
| 申请号： | 201280047158.3 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103828055A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 马丁·奥格森;亨里克·英厄斯莱乌·约根森;耶珀·维尔斯特鲁普·霍尔姆;莫顿·舒尔德莫斯 | 申请（专利权）人： | 盖斯普太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L31/0352;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 丹麦海*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 本申请公开了用于使用镓辅助的（Ga辅助的）蒸气-液体-固体（VLS）生长，即不需要金催化剂颗粒，制造磷砷化镓（GaAsP）纳米结构的技术。所得到的Ga辅助的GaAsP纳米结构是不含金颗粒的，这使它们对于光电应用是有用的，例如作为太阳能电池中的结。Ga辅助的GaAsP纳米结构可以被制造为具有在1.6至1.8eV的范围内（例如在以及约1.7eV）的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | gaasp 纳米 结构 ga 辅助 生长 不含金 包含 电池 | ||
【主权项】：
一种不含Au的GaAsP纳米结构，其来源于Ga辅助的生长。
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