[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201280047186.5 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103858210A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 田边将人;福上典仁;坂田阳;古沟透;原口崇 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型掩模坯 型掩模 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反射型掩模坯，包括：基板；在所述基板上形成的多层反射层；和在所述多层反射层之上形成的吸收层，所述反射型掩模坯具有所述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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