[发明专利]溅射靶及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280047223.2 申请日: 2012-09-12
公开(公告)号: CN103827349A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 长田健一;大月富男;冈部岳夫;牧野修仁;福岛笃志 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种背衬板一体型溅射靶,其特征在于,背衬板一体型溅射靶中,凸缘部的维氏硬度Hv为90以上,且凸缘部的0.2%屈服应力为6.98×107N/m2以上。通过仅提高靶的凸缘部的机械强度,能够抑制溅射中靶的变形,并且不会改变现有的溅射特性,能够形成均匀性优良的薄膜。由此,能够提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率、可靠性。
搜索关键词: 溅射 及其 制造 方法
【主权项】:
一种背衬板一体型溅射靶,其特征在于,背衬板一体型溅射靶中,凸缘部的维氏硬度Hv为90以上,且凸缘部的0.2%屈服应力为6.98×107N/m2以上。
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