[发明专利]用于聚合物基底上柔性光电装置的多层薄膜后接触系统无效
| 申请号： | 201280047345.1 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103828063A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 劳伦斯·M·伍兹;霍巴特·史蒂文斯;约瑟夫·H·阿姆斯特朗 | 申请（专利权）人： | 阿森特太阳能技术公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于光电元件的聚合物基底和后接触结构，并且光电元件包括CIGS光电结构，聚合物基底具有装置侧以及与装置侧相对的背侧，光电元件可位于装置侧。一层电介质在聚合物基底的背侧形成。金属结构在聚合物基底装置侧形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 聚合物 基底 柔性 光电 装置 多层 薄膜 接触 系统 | ||
【主权项】：
用于光电元件的聚合物基底和背接触结构，包括：聚合物基底，具有装置侧以及与所述装置侧相对的背侧，其中，所述光电元件可位于所述装置侧；电介质层，在所述聚合物基底的所述背侧形成；以及金属结构，在所述聚合物基底的所述装置侧形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
