[发明专利]等离子体装置和基板处理装置有效
| 申请号： | 201280047361.0 | 申请日： | 2012-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN103843465A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张鸿永;李镇远 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院;威特尔有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/36 | 分类号： | H05H1/36 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体生成装置以及基板处理装置。等离子体生成装置包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子体生成装置，其包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组。
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