[发明专利]双重图案化蚀刻工艺有效
| 申请号： | 201280047561.6 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103843110B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | K·萨普瑞;J·唐;A·巴特纳格尔;N·英格尔;S·文卡特拉马曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高见 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图案 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种双重图案化蚀刻方法，包含：(a)通过以下操作在基板上形成多个双重图案化特征，所述双重图案化特征包括含硅的电介质材料：(i)在所述基板上形成至少一个电介质层；(ii)在所述基板上形成多个第一抗蚀剂特征，所述多个第一抗蚀剂特征被间隔开以形成第一开口；以及(iii)在(ii)之后，在每个第一开口中形成第二抗蚀剂特征以界定第二开口，所述第二开口各自在相邻的第一和第二抗蚀剂特征之间；(iv)形成顶层以填充所述第二开口；以及(v)移除所述第一和第二抗蚀剂特征以形成多个双重图案化特征；(b)在工艺腔室的工艺区中提供具有所述双重图案化特征的所述基板；(c)在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体；(d)将所述受激励的蚀刻气体引入至所述工艺腔室的所述工艺区内，以蚀刻所述双重图案化特征而在所述基板上形成固态残留物；以及(e)藉由加热所述基板至至少100℃的温度来升华所述固态残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
