[发明专利]具有特定结晶特征的III-V族衬底材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201280047605.5 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103959437A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | J-P·福里;B·博蒙 | 申请（专利权）人： | 圣戈班晶体及检测公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种衬底，包括主体，所述主体包含III-V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在上表面与结晶参考面之间的切割角，所述主体还具有不超过大约0.6度的切割角变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特定 结晶 特征 iii 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底，包含：主体，所述主体包含III‑V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在所述上表面与结晶参考面之间的切割角（α），所述主体还包含不超过大约0.6度的切割角变化（2β）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
