[发明专利]用于在硅衬底中形成扩散区的方法有效
| 申请号： | 201280048109.1 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103843159A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 坎恩·C·伍;史蒂文·M·克拉夫特;保罗·卢斯科托福;史蒂夫·爱德华·莫里萨 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;顾丽波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括将耐蚀刻掺杂剂材料沉积到硅衬底上，所述耐蚀刻掺杂剂材料包含掺杂剂源；利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质；以及将所述硅衬底和所述耐蚀刻掺杂剂材料加热到足够的温度以使所述掺杂剂源扩散到所述硅衬底内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 形成 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：将耐蚀刻掺杂剂材料沉积到硅衬底上，所述耐蚀刻掺杂剂材料包含掺杂剂源；利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质；以及将所述硅衬底和所述耐蚀刻掺杂剂材料加热到足够的温度以使所述掺杂剂源扩散到所述硅衬底内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
