[发明专利]具有由脊分隔的掺杂的沟槽区域的太阳能电池有效
申请号: | 201280048243.1 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103999230A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 史蒂文·爱德华·莫里萨;托马斯·帕斯;史蒂夫·克拉夫特 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了具有由脊分隔的掺杂的沟槽区域的太阳能电池以及制造太阳能电池的方法。在一个实例中,太阳能电池包括具有表面的衬底,所述表面具有多个沟槽和脊。将具有第一导电类型的第一掺杂区域设置于第一沟槽中。将具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂区域设置于第二沟槽中。第一沟槽和第二沟槽由脊中的一个分隔。 | ||
搜索关键词: | 具有 分隔 掺杂 沟槽 区域 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:衬底,其具有表面,所述表面具有多个沟槽和脊;具有第一导电类型的第一掺杂区域,其设置于第一沟槽中;具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂区域,其设置于第二沟槽中,所述第一和第二沟槽由所述脊中的一个分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的