[发明专利]非水电解质二次电池和非水电解质二次电池的制造方法有效
申请号: | 201280048452.6 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103843188A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 西江胜志;川副雄大 | 申请(专利权)人: | 株式会社杰士汤浅国际 |
主分类号: | H01M10/0567 | 分类号: | H01M10/0567;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/052 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的非水电解质二次电池通过将含有锰、镍和钴的锂过渡金属氧化物用于正极,在非水电解质中含有相对于上述非水电解质的总质量为0.1~4.0质量%以下的具有特定结构的环状二砜化合物,从而能够抑制在高温环境下使用的电池在低温时的内部电阻的增大,提高低温时的输入输出特性。 | ||
搜索关键词: | 水电 二次 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非水电解质二次电池,其特征在于,具备正极、负极和非水电解质,所述正极中含有LixMnaNibCocMdO2作为正极活性物质,其中,0<x<1.3、0.1<a<0.7、0.1<b<0.6、0.1<c<0.67、0≤d<0.1、a+b+c+d=1,M表示选自Al、Ti、Mg、Cr、Zn、W、Zr和Nb中的金属,所述非水电解质中含有相对于所述非水电解质的总质量为0.1~4.0质量%的下述通式(1)的环状二砜化合物,
R1和R2为氢或可以含有卤素元素的碳原子数为2~4的烷基。
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