[发明专利]透明导电性薄膜无效
| 申请号： | 201280048596.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103875042A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 中村元气;村上英生;多多见央;大谷寿幸 | 申请（专利权）人： | 东洋纺株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种透明导电性薄膜，其具有低电阻且耐湿热性良好，并且通过将导电膜的膜厚抑制在一定厚度以下而使图案结构不明显。所述透明导电性薄膜，其以塑料薄膜为基材，包含透明导电性薄膜层而构成，其满足（1）～（4）的全部条件。（1）透明导电性薄膜层是含有5.5质量%以上、8质量%以下的氧化锡的晶体材料的铟-锡复合氧化物；（2）透明导电性薄膜层的膜厚在20nm以上、31nm以下；（3）透明导电性薄膜的表面电阻值在110Ω/□以下（4）在85℃、85%RH下保管240小时后的电阻值增加比例在1.2倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其以塑料薄膜为基材，包含透明导电性薄膜层而构成，其特征在于，满足（1）～（4）的全部条件，（1）透明导电性薄膜层为含有5.5质量%以上、8质量%以下的氧化锡晶体材料的铟‑锡复合氧化物；（2）透明导电性薄膜层的膜厚在20nm以上、31nm以下；（3）透明导电性薄膜的表面电阻值在110Ω/□以下；（4）在85℃、85%RH下保管240小时后的电阻值增加比例在1.2倍以下。
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