[发明专利]具有不对称栅极的垂直晶体管

摘要

一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分。还公开了一种制造所述晶体管结构的方法。可将所述晶体管结构表征为具有不对称栅极的垂直场效应晶体管。

主权项

一种晶体管结构，包含：衬底以及位于所述衬底上方的：源极；漏极；以及沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间且被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道，其中所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分，其中所述晶体管为n型场效应晶体管，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数，且所述第一导电材料位于比所述第二导电材料更靠近所述源极处，或者所述晶体管为p型场效应晶体管，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数，且所述第一导电材料位于比所述第二导电材料更靠近所述漏极处。