[发明专利]双层转移方法

摘要

一种转移层（1）的方法，包括：a）提供以结合能E0与初始基板（4）整体接合的层（1）；b）根据中间结合能Ei，使所述层（1）的正面（8）结合到中间基板（5）；c）从所述层（1）分离所述初始基板（4）；e）根据最终结合能Ef，使背面（9）结合至最终基板（11）；以及f）从所述层（1）剥离所述中间基板（5）以将所述层（1）转移到所述最终基板（11）；步骤b）包括形成硅氧烷键Si-O-Si的步骤，在第一无水环境中进行步骤c）并且在第二潮湿环境中进行步骤f），使得所述中间结合能Ei在步骤c）中取第一值Ei1和在步骤f）中取第二值Ei2，其中Ei1>E0且Ei2<Ef。

主权项

一种转移层（1）的方法，所述层特别是由半导体、绝缘或金属材料组成，所述方法包括以下步骤：a）提供接合到初始基板（4）的层（1），在所述层（1）和所述初始基板（4）之间具有结合能E0；b）根据中间结合能Ei，使所述层（1）的正面（8）结合到中间基板（5）上；c）从所述层（1）分离所述初始基板（4）以暴露所述层（1）的背面（9）；e）根据最终结合能Ef，使背面（9）结合至最终基板（11）上；以及f）从所述层（1）剥离所述中间基板（5）以将所述层（1）转移到所述最终基板（11）上；步骤b）包括形成硅氧烷键Si‑O‑Si的步骤，在第一无水环境中进行步骤c）并且在第二湿环境中进行步骤f），使得所述中间结合能Ei在步骤c）中取第一值Ei1和在步骤f）中取第二值Ei2，其中Ei1>E0且Ei2<Ef。