[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201280049982.2 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN103875080B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 白昌基;林兑旭;高明东;丁润夏;朴修永;崔成旭 | 申请(专利权)人: | 浦项工科大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,韩宏 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池和用于制造其的方法。太阳能电池包括不对称的纳米线,每一条纳米线具有倾斜侧壁,从而借助由半导体层与透明电极层的折射率之间的差所引起的光的全反射现象,使入射光可以集中在p‑n结部分,由于光行进距离增大,光吸收可以增大,从而改进光电效率。此外,用于制造太阳能电池的方法包括蚀刻衬底,以及整体形成衬底与p型半导体层,p型半导体层包括不对称的纳米线,每一条纳米线具有倾斜侧壁,从而减小制造成本并且简单且容易制造具有倾斜侧壁的纳米线。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:衬底;p型半导体层,布置在所述衬底的正面上并且包括在基本上垂直于所述衬底的方向上间隔分开设置的多条纳米线;以及n型半导体层,沿所述多条纳米线的表面布置在所述p型半导体层上,其中,所述多条纳米线中的每一条纳米线具有倾斜侧壁,并且每一条纳米线的直径的至少一部分从顶部至底部减小,并且其中,所述太阳能电池进一步包括透明电极层,所述透明电极层布置在位于所述多条纳米线的顶面和整个侧面上的所述n型半导体层上并且具有的折射率比所述n型半导体层的折射率小,使得以垂直于所述衬底的方向入射到所述n型半导体层与所述透明电极层之间的界面上的太阳光能够被全反射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的