[发明专利]结晶层叠结构体及其制造方法以及半导体元件无效
| 申请号： | 201280050003.5 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103918061A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 饭塚和幸;森岛嘉克;佐藤慎九郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供Ga2O3基板上的氮化物半导体层上表面的位错密度低的结晶层叠结构体及其制造方法。在一个实施方式中，提供包括Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的由AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的缓冲层3、缓冲层3上的由含有氧作为杂质的AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的氮化物半导体层4的结晶层叠结构体1。氮化物半导体层4的Ga2O3基板2侧的200nm以上厚度的区域4a的氧浓度在1.0×1018/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 层叠 结构 及其 制造 方法 以及 半导体 元件 | ||
【主权项】：
结晶层叠结构体，包括Ga2O3基板、所述Ga2O3基板上的由AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的缓冲层、所述缓冲层上的由含有氧作为杂质的AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的氮化物半导体层，所述氮化物半导体层的所述Ga2O3基板侧的200nm以上厚度的区域的氧浓度在1.0×1018/cm3以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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