[发明专利]包含有机铂化合物的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法有效
| 申请号： | 201280050214.9 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103874705A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 斋藤昌幸;铃木和治;重富利幸;锅谷俊一 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C07F15/00 | 分类号： | C07F15/00;C07C13/263;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;常海涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R1和R2特别优选丙基和甲基、丙基和乙基、或乙基和甲基的组合中的任一种。式中，R1、R2为烷基，R1和R2不同。另外，R1、R2的碳原子数合计为3～5。 |
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| 搜索关键词： | 包含 有机 化合物 化学 沉积 料及 使用 原料 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法来制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物，[化学式1]![]()
式中，R1、R2为烷基，R1和R2不同，另外，R1、R2的碳原子数合计为3～5。
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