[发明专利]剥离晶片的再生加工方法

摘要

本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。

主权项

一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子对键合晶片的表面进行离子注入而形成离子注入层，并直接或隔着氧化膜将上述键合晶片的进行了离子注入的表面和衬底晶片的表面贴合之后，以上述离子注入层为界剥离键合晶片，由此制作在上述衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片，并对此时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法其特征在于，在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。