[发明专利]β－Ga2

摘要

本发明提供在还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga2O3系基板的制造方法，以及能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。本发明提供的β－Ga2O3系基板的制造方法包括从含有IV族元素的β－Ga2O3系结晶中切出β－Ga2O3系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga2O3系基板之前的β－Ga2O3系结晶或切出的上述β－Ga2O3系基板实施退火处理。

主权项

β－Ga₂O₃系基板的制造方法，包括从含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶中切出β－Ga₂O₃系基板的工序，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出所述β－Ga₂O₃系基板之前的所述β－Ga₂O₃系结晶或切出的所述β－Ga₂O₃系基板实施退火处理。