[发明专利]传感器和制造传感器的方法有效

专利信息
申请号: 201280050537.8 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN103890575B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 克劳斯·席尔鲍姆;穆罕默德·艾尔-艾兹哈卜;克里斯蒂亚娜·舒尔 申请(专利权)人: 杜塞尔多夫海因里希·海涅大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王程;黎艳
地址: 德国杜*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种传感器(10),其具有层排列(12),其中所述层排列(12)包括至少一个基底层(14)、中间层(16)和外层(18),其中所述中间层(16)被布置为至少部分地位于所述基底层(14)上并与所述基底层(14)接触,且所述外层(18)被布置为至少部分地位于所述中间层(16)上并与所述中间层(16)接触,所述基底层(14)包括金属,所述中间层(16)包括金属氧化物,所述外层(18)是多孔的,并包括选自下组的材料,该组包括导电性碳化合物,例如更具体地:石墨或碳纳米管(CNTs)、有机导电体和基底金属,其中,可以用所述基底层(14)和所述外层(18)形成电触点,以进行电导率测量和/或电阻测量。这样的传感器(10)提供了高灵敏度,以及在环境温度下的高选择性,并且还可节约成本。本发明还涉及一种用于制造传感器(10)的方法。本发明还涉及根据本发明的传感器(10)用作气体传感器和/或液体传感器的使用。
搜索关键词: 传感器 制造 方法
【主权项】:
传感器,其具有层排列(12),其中所述层排列(12)包括至少一个基底层(14)、中间层(16)和外层(18),其中所述中间层(16)被布置为至少部分地位于所述基底层(14)上并与所述基底层(14)接触,且所述外层(18)被布置为至少部分地位于所述中间层(16)上并与所述中间层(16)接触,其中,所述基底层(14)由金属构成,所述中间层(16)包括金属氧化物,所述外层(18)是多孔的,并包括选自下组的材料,该组包括导电性碳化合物,其中,用所述基底层(14)和所述外层(18)形成电触点,以进行电导率测量和/或电阻测量,以使得所述基底层(14)用作为下电极或用作为反电极,其中,所述基底层(14)包括至少一种选自下组的金属,该组包括钛、钒、铬、锆、铌、钼、钽、钨,或一种或多种这些金属与一种或多种这些或其他金属的合金,所述其他金属包括铝、钯、锰、铁、镍、钴、铜或稀土金属,且其中,所述中间层(16)是所述基底层(14)的转换层。
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