[发明专利]半导体制造装置用构件无效

专利信息
申请号: 201280050729.9 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN103890224A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 稻叶光晴;横田博纪;山田圭介 申请(专利权)人: 东华隆株式会社
主分类号: C23C4/18 分类号: C23C4/18;B23K15/00;B23K26/34;C23C4/04;C23C4/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 金龙河;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5,其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成,且具有网眼状裂纹6,所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 构件
【主权项】:
一种半导体制造装置用构件,具备用于构成半导体制造装置的基底构件和涂布在该基底构件的表面上的陶瓷喷涂覆膜,其特征在于,在所述陶瓷喷涂覆膜的表层形成高强度陶瓷层,该高强度陶瓷层使由于所述半导体制造装置中的外在因素而从该半导体制造装置用构件上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度,该高强度陶瓷层由向所述基底构件的表面喷涂陶瓷而涂布喷涂覆膜后、对该表面照射激光束或电子束、使该喷涂覆膜的表层的陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成,所述高强度陶瓷层上形成有网眼状裂纹。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华隆株式会社,未经东华隆株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280050729.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top