[发明专利]半导体制造装置用构件无效
申请号: | 201280050729.9 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN103890224A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 稻叶光晴;横田博纪;山田圭介 | 申请(专利权)人: | 东华隆株式会社 |
主分类号: | C23C4/18 | 分类号: | C23C4/18;B23K15/00;B23K26/34;C23C4/04;C23C4/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5,其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成,且具有网眼状裂纹6,所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 构件 | ||
【主权项】:
一种半导体制造装置用构件,具备用于构成半导体制造装置的基底构件和涂布在该基底构件的表面上的陶瓷喷涂覆膜,其特征在于,在所述陶瓷喷涂覆膜的表层形成高强度陶瓷层,该高强度陶瓷层使由于所述半导体制造装置中的外在因素而从该半导体制造装置用构件上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度,该高强度陶瓷层由向所述基底构件的表面喷涂陶瓷而涂布喷涂覆膜后、对该表面照射激光束或电子束、使该喷涂覆膜的表层的陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成,所述高强度陶瓷层上形成有网眼状裂纹。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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