[发明专利]树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法

摘要

本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

主权项

一种树脂封装型半导体装置，具有台面型半导体元件和铸模用树脂，所述台面型半导体元件包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖所述外围锥形区域的玻璃层，所述铸模用树脂用于封装所述台面型半导体元件，其特征在于：所述台面型半导体元件具有通过对一种半导体接合保护用玻璃复合物进行烧制而形成的玻璃层作为所述玻璃层，所述半导体接合保护用玻璃复合物由一种玻璃微粒构成，该玻璃微粒是通过将一种实质上不含有铅的玻璃原料熔融而获得的熔液制造而成，其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K，并且至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种的碱土金属氧化物，所述SiO2的含量在41.1mol％～61.1mol％范围内、所述B2O3含量在5.8mol％～15.8mol％范围内、所述ZnO的含量在3.0mol％～24.8mol％范围内。