[发明专利]阳极电池材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201280051456.X | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103890915A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | S·L·比斯瓦尔;M·塔库尔;M·S·黄;S·L·辛萨伯格;M·伊萨克桑 | 申请（专利权）人： | 威廉马歇莱思大学;洛克西德马丁有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施方式中，本发明提供新颖的制备用于锂离子电池的多孔硅膜和多孔硅粒的方法。在一些实施方式中，这种方法通常包括：（1）通过将硅材料暴露在溶液（如氢氟酸溶液）中的恒定电流密度中来蚀刻硅材料，以在基材上形成多孔硅膜；和（2）通过以连续增量的形式逐渐增加电流密度的方法将多孔硅膜从基材上分离。在一些实施方式中，本发明的方法还可包括将多孔硅膜与结合材料（如聚丙烯腈（PAN））结合的步骤。在一些实施方式中，本发明的方法还可包括将多孔硅膜分裂以形成多孔硅粒的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 电池 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备多孔硅膜的方法,该方法包括:蚀刻硅材料，所述蚀刻包括将该硅材料暴露于电流密度中，和在该硅基材上蚀刻形成多孔硅膜；和将所述多孔硅膜从该硅基材上分离，所述分离包括以连续增量的方式逐渐增加电流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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