[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

主权项

一种半导体器件，包括：高电子迁移率晶体管（10，20，21，30，31，32）；以及二极管（60，70），其中所述高电子迁移率晶体管（10，20，21，30，31，32）包括：衬底（10），所述衬底（10）具有氮化镓层（13）和氮化铝镓层（14），所述氮化镓层（13）用于在其中生成二维电子气并且用作沟道层，所述氮化铝镓层（14）叠置在所述氮化镓层（13）上并且用作阻挡层，源极电极（30），所述源极电极（30）被设置在所述氮化铝镓层（14）上并且与所述氮化铝镓层（14）形成欧姆接触，漏极电极（31），所述漏极电极（31）在所述氮化铝镓层（14）上被设置为远离所述源极电极（30），并且与所述氮化铝镓层（14）形成欧姆接触，层间绝缘膜（20，21），所述层间绝缘膜（20，21）被布置在所述源极电极（30）和所述漏极电极（31）之间的所述氮化铝镓层（14）上，以及栅极电极（32），所述栅极电极（32）被布置在所述层间绝缘膜（20，21）上，所述衬底（10）包括用于在所述氮化镓层（13）中生成所述二维电子气的活性层区域（40）；所述二极管（60，70）包括电连接至所述栅极电极（32）的阳极以及电连接至所述漏极电极（31）的阴极，并且所述二极管（60，70）提供栅极‑漏极二极管（60，70）。