[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280051725.2 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103890952A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;畑山智亮 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳化硅层（50）包括具有第一导电类型的第一区（51）、提供在第一区上并具有第二导电类型的第二区（52），以及设置在第二区（52）上并具有第一导电类型的第三区（53）。具有内表面的沟槽（TR）形成在碳化硅层（50）中。沟槽（TR）穿过第二和第三区（52，53）。沟槽（TR）的内表面具有第一侧壁（SW1）以及位置比第一侧壁（SW1）更深并具有包括第二区（52）的部分的第二侧壁（SW2）。第一侧壁（SW1）的斜率小于第二侧壁（SW2）的斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件（101至103），包括：碳化硅层（50），所述碳化硅层（50）具有厚度方向，并且具有第一主表面（P1）和在所述厚度方向上与所述第一主表面相反的第二主表面（P2），所述碳化硅层包括形成所述第一主表面并且具有第一导电类型的第一区（51）、设置在所述第一区上并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二区（52）、以及设置在所述第二区上并且具有所述第一导电类型的第三区（53），具有内表面的沟槽（TR）被形成在所述碳化硅层的所述第二主表面中，所述沟槽穿过所述第二区和第三区；栅绝缘膜（61），所述栅绝缘膜（61）覆盖所述沟槽的所述内表面；以及栅电极（70），所述栅电极（70）填充所述沟槽的至少一部分，其中所述沟槽的所述内表面具有第一侧壁（SW1）和第二侧壁（SW2），所述第二侧壁（SW2）位于比所述第一侧壁更深处并且具有由所述第二区构成的部分，并且所述第一侧壁相对于所述第二主表面的倾斜小于所述第二侧壁相对于所述第二主表面的倾斜。
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