[发明专利]用于具有受控的可平均和可隔离电压参考的MRAM的系统和方法有效
| 申请号： | 201280051796.2 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103890849A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | J·P·金;T·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C7/08;G11C29/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器具有多个非易失性电阻式(NVR)存储器阵列，每个NVR存储器阵列具有通过参考电路耦合链路耦合至参考线的相关联参考电压生成电路，该参考被耦合至该NVR存储器阵列的感测放大器。参考线耦合链路将不同NVR存储器阵列的参考线耦合在一起。任选地，移除或断开这些参考耦合链路中的不同参考耦合链路，从而在不同参考线上获得相应不同的平均和隔离参考电压。任选地，移除或断开这些参考电路耦合链路中的不同参考电路耦合链路，从而在参考线上获得相应不同的平均电压、并且解耦和隔离不同参考电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 受控 平均 隔离 电压 参考 mram 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性电阻式存储器，包括：与至少一个位单元阵列(I／O)相关联的多个参考单元，其中所述多个参考单元中的至少两个被耦合至共用节点；以及与所述I／O相关联的多个感测放大器，其中至少一个感测放大器被耦合至所述共用节点。
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