[发明专利]氮化物半导体发光元件

摘要

本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，具备：第一Ⅲ族氮化物半导体区域，包含n型包覆层以及第一内侧半导体层；活性层，设置于所述第一Ⅲ族氮化物半导体区域的所述第一内侧半导体层上；第二Ⅲ族氮化物半导体区域，包含p型包覆层以及第二内侧半导体层，并设置于所述活性层上；以及电极，设置于所述第二Ⅲ族氮化物半导体区域上，所述第一Ⅲ族氮化物半导体区域、所述活性层以及所述第二Ⅲ族氮化物半导体区域沿某层叠轴而顺次排列，所述第一内侧半导体层设置于所述活性层和所述n型包覆层之间，所述第二内侧半导体层设置于所述活性层和所述p型包覆层之间，所述第一内侧半导体层、所述活性层以及所述第二内侧半导体层构成芯区域，所述n型包覆层、所述芯区域以及所述p型包覆层构成光波导构造，所述活性层和所述第一Ⅲ族氮化物半导体区域的所述第一内侧半导体层构成第一异质结，所述n型包覆层由Ⅲ族氮化物半导体构成，所述第一异质结相对于沿所述n型包覆层的所述Ⅲ族氮化物半导体的c面而延伸的基准面，以比零大的倾斜角倾斜，所述活性层包含由氮化镓类半导体构成并内包压缩变形的阱层，所述阱层的压电极化的朝向朝着从所述p型包覆层向所述n型包覆层的方向，所述阱层包含InGaN层，所述活性层的所述阱层和所述第二Ⅲ族氮化物半导体区域的所述第二内侧半导体层构成第二异质结，所述第二Ⅲ族氮化物半导体区域具有半导体隆脊，所述半导体隆脊包含所述第二内侧半导体层和所述p型包覆层之间的第三异质结，所述第二内侧半导体层包含在所述活性层的所述阱层构成所述第二异质结的第一部分、从所述第三异质结到所述半导体隆脊的底的第二部分、以及所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分、所述第三部分以及所述第二部分沿所述层叠轴顺次排列，所述半导体隆脊的所述底和所述第二异质结的距离是200nm以下。