[发明专利]利用碱土金属减少杂质掺入III-族氮化物晶体无效
| 申请号： | 201280052441.5 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104024152A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | S·皮姆普特卡;P·M·范多伦;J·S·司倍克;S·纳卡姆拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C30B7/00;B01D9/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用碱土金属以减少杂质掺入利用氨热法生长的III-族氮化物晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 碱土金属 减少 杂质 掺入 iii 氮化物 晶体 | ||
【主权项】：
生长晶体的方法，包括：(a)将源材料和一种或多种晶种置于容器内；(b)将所述容器填充有溶剂以溶解所述源材料并且转移所述溶解的源材料至所述晶种，用于生长所述晶体；以及(c)于所述容器内使用含有碱土的材料以减少杂质掺入所述晶体。
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