[发明专利]对包含银纳米线的基质的选择性蚀刻在审
| 申请号： | 201280052467.X | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103907216A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | W·斯托库姆;O·多尔;I·科勒;C·马图舍克 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/52;H01L51/00;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18;H01L33/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及对在柔性塑料子结构或固体玻璃片上包含AgNW(银纳米线)或CNT(碳纳米管)或者包含AgNW和CNT的混合物的聚合物基质进行选择性结构化的方法。方法还包括适合的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物允许以大规模生产实施所述方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 基质 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
对在塑料或玻璃子结构上包含银纳米线(AgNW)和/或碳纳米管(CNT)的聚合物基质进行选择性蚀刻的方法，其包括以下步骤：a)将基于酸性的蚀刻糊印刷到复合材料的表面上，所述复合材料包含具有银纳米线的聚合物基质和塑料基底或玻璃片，b)在加热或不加热的情况下进行预定时间(固定的停留时间)的蚀刻以及c)清洁基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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